對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數(shù)的良好控制之間取得平衡。

“隨著設(shè)計(jì)規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉(zhuǎn)向非?？焖俚牡入x子體蝕刻工藝步驟，這需要對所有反應(yīng)輸入進(jìn)行高度精確的控制：功率、壓力、化學(xué)和溫度，”Finch 說，并指出優(yōu)化等離子體的趨勢脈沖行為產(chǎn)生特定的離子與中性比，然后清除副產(chǎn)物。“此類條件的高級建模對于實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的設(shè)備縮放至關(guān)重要?！?

一段時(shí)間以來，蝕刻系統(tǒng)制造商一直在使用建模軟件來加快下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的開發(fā)或提高產(chǎn)量?？紤]到該過程及其所有變量的絕對復(fù)雜性，這并不奇怪。

“在開發(fā)下一節(jié)點(diǎn)技術(shù)時(shí)，根本沒有足夠的時(shí)間或足夠的晶圓來執(zhí)行所有可能的工藝實(shí)驗(yàn)，”Finch 說。“蝕刻設(shè)備設(shè)置組合的數(shù)量可能達(dá)到數(shù)百萬，甚至數(shù)十億，使用所有工藝可能性的強(qiáng)力晶圓開發(fā)是根本不可能的。”

當(dāng)然，所有好的模型都是在實(shí)際芯片上驗(yàn)證的?！耙粋€(gè)準(zhǔn)確的模型應(yīng)該具有預(yù)測性，它應(yīng)該解決用戶想要解決的目標(biāo)問題，”Finch說?！懊看胃鶕?jù)模擬工作推薦工藝或設(shè)計(jì)變更時(shí)，實(shí)際的晶圓廠數(shù)據(jù)應(yīng)該反映推薦的結(jié)果。在我們的案例中，我們已經(jīng)能夠使用基于模型的結(jié)果準(zhǔn)確預(yù)測流程變化的影響，并快速解決困難的流程和技術(shù)開發(fā)問題?！?

工具供應(yīng)商還致力于先進(jìn)的蝕刻工藝，以更緊密地集成生產(chǎn)線，并將曾經(jīng)的雙掩模級工藝（兩個(gè)光刻步驟）轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€(gè)工藝，以簡化工藝并降低成本。

Bézard 說：“公司沒有采用現(xiàn)有的硬件來讓瑞士軍刀裝備得更好，而是引入了特定于應(yīng)用程序的技術(shù)，例如解決尖端問題的新系統(tǒng)?！?目的是使彼此面對的兩條線靠得更近，目前這涉及線圖案化步驟，然后是切割掩模?！皯?yīng)用材料公司和其他公司正在推出的是一種在水平方向上直接蝕刻的方法?！?這樣的過程也可以加寬通孔。