国产精品人人爽人人做我的可爱_三上悠亚网站在线观看一区二区_亚洲国产精品热久久_亚洲精品WWW久久久久久
新聞

新聞

News

電子束光刻充電效應(yīng)

點擊量:619 日期:2023-07-28 編輯:硅時代

當(dāng)我們使用電子束光刻做pattern時,有時候會發(fā)現(xiàn)在一些特殊情況下,無法獲得完美的圖形(圖形變形、斷線等),這種情況極有可能是因為電子束光刻的充電效應(yīng)(荷電效應(yīng))導(dǎo)致的,下面我們將分為幾個部分介紹一下基礎(chǔ)知識,充電效應(yīng)的形成,怎樣來避免充電效應(yīng)?

充電效應(yīng)機理

1.電子束與固體材料的相互作用

a.前散射:電子穿過光阻,部分電子發(fā)生小角度散射,光阻越薄、電子加速電壓越大,前散射越小。

b.背散射:穿過光阻的電子到達襯底,并發(fā)生大角度的散射,背散射電子參與曝光,并使曝光區(qū)域展寬。

c.二次電子:失去能量的電子減速產(chǎn)生一連串的低能電子叫做二次電子,參與曝光,但影響區(qū)域很?。ü庾柚杏绊憛^(qū)域幾納米)。

圖1 電子束與固體材料相互作用 

2.電子作用范圍

a.光阻厚度:光阻厚度越小,前散射的作用區(qū)域越小。

b.電子加速電壓:電子加速電壓越大,前散射越小,背散射影響區(qū)域越大。

c.襯底材料:材料的原子序數(shù)越大,背散射影響區(qū)域越小。

圖2. 電子在不同材料中的散射軌跡                        

充電效應(yīng)產(chǎn)生的原因和現(xiàn)象

1.產(chǎn)生的原因

a.絕緣襯底:穿過光阻的電子到達襯底上不能被及時導(dǎo)走富集在曝光區(qū)域形成不均勻電場,從而對后續(xù)曝光中的電子束產(chǎn)生排斥力,從而導(dǎo)致很難實現(xiàn)納米尺度圖形制作。常見的絕緣襯底有:半導(dǎo)體工藝材料(SiO2、Si3N4)、光電子材料(GaN、藍寶石、石英玻璃等)。

b.低能厚膠:導(dǎo)體或者半導(dǎo)體材料通常不會產(chǎn)生充電效應(yīng),但是對于厚的光阻(光阻一般不導(dǎo)電),或者低能電子束曝光(電子穿透深度有限)的情況下同樣會存在充電效應(yīng)。

圖3. 充電效應(yīng)示意圖 

2.充電效應(yīng)現(xiàn)象

充電效應(yīng)產(chǎn)生的現(xiàn)象常常有:圖形變形、斷線、線條不直、很難獲得高分辨率圖形等

 圖4. 絕緣襯底上電子束曝光應(yīng)用(B引入導(dǎo)電層)    

 圖5. 充電效應(yīng)導(dǎo)致圖形變形(B引入導(dǎo)電層)

  • 聯(lián)系我們
  • 聯(lián)系電話:0512-62996316
  • 傳真地址:0512-62996316
  • 郵箱地址:sales@si-era.com
  • 公司地址:中國(江蘇)自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)——蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號納米城西北區(qū)09棟402室
  • 關(guān)注與分析
蘇州硅時代電子科技有限公司 版權(quán)所有 Copyright 2020 備案號:蘇ICP備20007361號-1 微特云辦公系統(tǒng) 微納制造 MEMS設(shè)計
一鍵撥號 一鍵導(dǎo)航
国产精品人人爽人人做我的可爱_三上悠亚网站在线观看一区二区_亚洲国产精品热久久_亚洲精品WWW久久久久久