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電子束光刻充電效應(yīng)
點擊量:619 日期:2023-07-28 編輯:硅時代
當(dāng)我們使用電子束光刻做pattern時,有時候會發(fā)現(xiàn)在一些特殊情況下,無法獲得完美的圖形(圖形變形、斷線等),這種情況極有可能是因為電子束光刻的充電效應(yīng)(荷電效應(yīng))導(dǎo)致的,下面我們將分為幾個部分介紹一下基礎(chǔ)知識,充電效應(yīng)的形成,怎樣來避免充電效應(yīng)?
a.前散射:電子穿過光阻,部分電子發(fā)生小角度散射,光阻越薄、電子加速電壓越大,前散射越小。
b.背散射:穿過光阻的電子到達襯底,并發(fā)生大角度的散射,背散射電子參與曝光,并使曝光區(qū)域展寬。
c.二次電子:失去能量的電子減速產(chǎn)生一連串的低能電子叫做二次電子,參與曝光,但影響區(qū)域很?。ü庾柚杏绊憛^(qū)域幾納米)。
圖1 電子束與固體材料相互作用
a.光阻厚度:光阻厚度越小,前散射的作用區(qū)域越小。
b.電子加速電壓:電子加速電壓越大,前散射越小,背散射影響區(qū)域越大。
c.襯底材料:材料的原子序數(shù)越大,背散射影響區(qū)域越小。
圖2. 電子在不同材料中的散射軌跡
a.絕緣襯底:穿過光阻的電子到達襯底上不能被及時導(dǎo)走富集在曝光區(qū)域形成不均勻電場,從而對后續(xù)曝光中的電子束產(chǎn)生排斥力,從而導(dǎo)致很難實現(xiàn)納米尺度圖形制作。常見的絕緣襯底有:半導(dǎo)體工藝材料(SiO2、Si3N4)、光電子材料(GaN、藍寶石、石英玻璃等)。
b.低能厚膠:導(dǎo)體或者半導(dǎo)體材料通常不會產(chǎn)生充電效應(yīng),但是對于厚的光阻(光阻一般不導(dǎo)電),或者低能電子束曝光(電子穿透深度有限)的情況下同樣會存在充電效應(yīng)。
圖3. 充電效應(yīng)示意圖
充電效應(yīng)產(chǎn)生的現(xiàn)象常常有:圖形變形、斷線、線條不直、很難獲得高分辨率圖形等
圖4. 絕緣襯底上電子束曝光應(yīng)用(B引入導(dǎo)電層)
圖5. 充電效應(yīng)導(dǎo)致圖形變形(B引入導(dǎo)電層)