MOCVD全稱(chēng)是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備），是在氣相外延（VPE）的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)，是利用金屬有機(jī)化合物作為源物質(zhì)的一種化學(xué)氣相淀積(CVD)工藝。利用MOCVD技術(shù)，許多納米層可以以極高的精度沉積，每一層都具有可控的厚度，以形成具有特定光學(xué)和電學(xué)特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在藍(lán)寶石（Al2O3）襯底上外延生長(zhǎng)，制作外延片。

MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積）是用于在半導(dǎo)體晶圓上沉積超薄單晶體層。MOCVD對(duì)于半導(dǎo)體III-V化合物是最重要的制造工藝，尤其是這些基于氮化鎵的半導(dǎo)體。廣泛應(yīng)用于包括半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件、氣敏元件、超導(dǎo)薄膜材料、鐵電/鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。

MOCVD的優(yōu)劣勢(shì)：

（1）用于生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應(yīng)室，因此，可以通過(guò)精確控制氣態(tài)源的流量和通斷時(shí)間來(lái)控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等。可以用于生長(zhǎng)薄層和超薄層材料。

（2）反應(yīng)室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時(shí)，可以迅速進(jìn)行改變，減小記憶效應(yīng)發(fā)生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進(jìn)行異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格、量子阱材料的生長(zhǎng)。

（3）晶體生長(zhǎng)是以熱解化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行的，是單溫區(qū)外延生長(zhǎng)。只要控制好反應(yīng)源氣流和溫度分布的均勻性，就可以保證外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長(zhǎng)，便于工業(yè)化大批量生產(chǎn)。

（4）通常情況下，晶體生長(zhǎng)速率與Ⅲ族源的流量成正比，因此，生長(zhǎng)速率調(diào)節(jié)范圍較廣。較快的生長(zhǎng)速率適用于批量生長(zhǎng)。

（5）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進(jìn)行包含該元素的材料的MOCVD生長(zhǎng)。而可供選擇作為反應(yīng)源的金屬有機(jī)化合物種類(lèi)較多，性質(zhì)也有一定的差別。

MOCVD技術(shù)的主要缺點(diǎn)大部分均與其所采用的反應(yīng)源有關(guān)。首先是所采用的金屬有機(jī)化合物和氫化物源價(jià)格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險(xiǎn)性，并且，反應(yīng)后產(chǎn)物需要進(jìn)行無(wú)害化處理，以避免造成環(huán)境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對(duì)反應(yīng)過(guò)程進(jìn)行仔細(xì)控制以避免引入非故意摻雜的雜質(zhì)。