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器件封裝

倒裝鍵合

芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度<2mm，溫度<450℃ 精度：±3μm，壓力<100kg，2寸晶圓對晶圓鍵合

晶圓鍵合

陽極鍵合、共晶鍵合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）、膠鍵合（BCB，SU8，鍵合專用膠)，對準精度±5μm

點膠

工作范圍：≤300*300mm，膠量控制：容積式和氣壓式，膠水黏度<50kCPS，單次膠量<0.16900ml，時間設置范圍<9.999sec

貼片

銀漿、焊料

引線

球形焊、楔形焊；Au線，Al線

回流爐

真空：2mbar，溫度<450℃±0.05℃

平行封焊

各類金屬管殼，位置精度：±0.0381mm，壓力<5kg

TSV（硅通孔）工藝

1、通孔的形成；2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積；3、電鍍填充，去除和再布線；4、晶圓減薄；5、鍵合、劃片

TGV（玻璃通孔工藝）

可完成打孔、沉積、填充再布線、減薄、鍵合劃片等。

案例展示

底層管芯與頂層管芯堆疊連接 Cu-Cu Metal Diffusion Bond TSV（Cu&Sn鍵合）Process Ultra High Density TGV For MEMS